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IS61WV6416DBLL-10BLI

IS61WV6416DBLL-10BLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS61WV6416DBLL-10BLI
PNEDA Teilenummer IS61WV6416DBLL-10BLI
Beschreibung IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 7.135
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS61WV6416DBLL-10BLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61WV6416DBLL-10BLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61WV6416DBLL-10BLI, IS61WV6416DBLL-10BLI Datenblatt (Total Pages: 21, Größe: 737,82 KB)
PDFIS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Cover
IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 2 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 3 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 4 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 5 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 6 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 7 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 8 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 9 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 10 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 11

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IS61WV6416DBLL-10BLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße1Mb (64K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ns
Zugriffszeit10ns
Spannung - Versorgung2.4V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA
Lieferantengerätepaket48-miniBGA (6x8)

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Quad Port, Synchronous

Speichergröße

1.125Mb (64K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.2ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

272-BBGA

Lieferantengerätepaket

272-PBGA (27x27)

7026L25GB

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

256Kb (16K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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AT24C128Y1-10YI-2.7

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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MT51K128M32HF-60 N:B

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

RAM

Technologie

SGRAM - GDDR5

Speichergröße

4Gb (128M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.5GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

170-TFBGA

Lieferantengerätepaket

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IS25LQ010B-JNLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

800µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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