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IS61NLP25672-200B1

IS61NLP25672-200B1

Nur als Referenz

Teilenummer IS61NLP25672-200B1
PNEDA Teilenummer IS61NLP25672-200B1
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61NLP25672-200B1 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61NLP25672-200B1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61NLP25672-200B1, IS61NLP25672-200B1 Datenblatt (Total Pages: 37, Größe: 642,05 KB)
PDFIS61NVP51236-250B3I Datenblatt Cover
IS61NVP51236-250B3I Datenblatt Seite 2 IS61NVP51236-250B3I Datenblatt Seite 3 IS61NVP51236-250B3I Datenblatt Seite 4 IS61NVP51236-250B3I Datenblatt Seite 5 IS61NVP51236-250B3I Datenblatt Seite 6 IS61NVP51236-250B3I Datenblatt Seite 7 IS61NVP51236-250B3I Datenblatt Seite 8 IS61NVP51236-250B3I Datenblatt Seite 9 IS61NVP51236-250B3I Datenblatt Seite 10 IS61NVP51236-250B3I Datenblatt Seite 11

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IS61NLP25672-200B1 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße18Mb (256K x 72)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit3.1ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall209-BGA
Lieferantengerätepaket209-LFBGA (14x22)

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Serie

GL-P

Speichertyp

Non-Volatile

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Technologie

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Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

90ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-N

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

110ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (13x11)

CY7C1011CV33-12AXI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

2Mb (128K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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MT29F512G08CKECBH7-12:C

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

512Gb (64G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

83MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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