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IS61LV256AL-10JLI

IS61LV256AL-10JLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS61LV256AL-10JLI
PNEDA Teilenummer IS61LV256AL-10JLI
Beschreibung IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 177.027
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS61LV256AL-10JLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61LV256AL-10JLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61LV256AL-10JLI, IS61LV256AL-10JLI Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 41,45 KB)
PDFIS62LV256-70UI-TR Datenblatt Cover
IS62LV256-70UI-TR Datenblatt Seite 2 IS62LV256-70UI-TR Datenblatt Seite 3 IS62LV256-70UI-TR Datenblatt Seite 4 IS62LV256-70UI-TR Datenblatt Seite 5 IS62LV256-70UI-TR Datenblatt Seite 6 IS62LV256-70UI-TR Datenblatt Seite 7 IS62LV256-70UI-TR Datenblatt Seite 8 IS62LV256-70UI-TR Datenblatt Seite 9

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IS61LV256AL-10JLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ns
Zugriffszeit10ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Lieferantengerätepaket28-SOJ

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

6ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

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NAND256W3A2BNXE

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50ns

Zugriffszeit

50ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

VS-R

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH, RAM

Technologie

FLASH, DRAM

Speichergröße

256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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133-FBGA (8x8)

M27W201-80F6

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - UV

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

80ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

32-CDIP (0.600", 15.24mm) Window

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

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