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IS61LV25616AL-10KLI

IS61LV25616AL-10KLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS61LV25616AL-10KLI
PNEDA Teilenummer IS61LV25616AL-10KLI
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 3.580
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 27 - Apr 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS61LV25616AL-10KLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61LV25616AL-10KLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61LV25616AL-10KLI, IS61LV25616AL-10KLI Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 341,21 KB)
PDFIS61LV25616AL-10T-TR Datenblatt Cover
IS61LV25616AL-10T-TR Datenblatt Seite 2 IS61LV25616AL-10T-TR Datenblatt Seite 3 IS61LV25616AL-10T-TR Datenblatt Seite 4 IS61LV25616AL-10T-TR Datenblatt Seite 5 IS61LV25616AL-10T-TR Datenblatt Seite 6 IS61LV25616AL-10T-TR Datenblatt Seite 7 IS61LV25616AL-10T-TR Datenblatt Seite 8 IS61LV25616AL-10T-TR Datenblatt Seite 9 IS61LV25616AL-10T-TR Datenblatt Seite 10 IS61LV25616AL-10T-TR Datenblatt Seite 11

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IS61LV25616AL-10KLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße4Mb (256K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ns
Zugriffszeit10ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-SOJ

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-

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Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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165-LBGA

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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-

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

288Mb (16M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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