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IS61LPS51218A-200TQLI

IS61LPS51218A-200TQLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS61LPS51218A-200TQLI
PNEDA Teilenummer IS61LPS51218A-200TQLI
Beschreibung IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS61LPS51218A-200TQLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61LPS51218A-200TQLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61LPS51218A-200TQLI, IS61LPS51218A-200TQLI Datenblatt (Total Pages: 35, Größe: 2.595,04 KB)
PDFIS61LPS25636A-200B2I-TR Datenblatt Cover
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IS61LPS51218A-200TQLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße9Mb (512K x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit3.1ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x20)

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile

Speichergröße

64Mb (2M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

90-TFBGA

Lieferantengerätepaket

90-TFBGA (8x13)

W632GU8MB-15 TR

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Hersteller

Winbond Electronics

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

667MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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