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IS61LPD51236A-200TQLI-TR

IS61LPD51236A-200TQLI-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS61LPD51236A-200TQLI-TR
PNEDA Teilenummer IS61LPD51236A-200TQLI-TR
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61LPD51236A-200TQLI-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61LPD51236A-200TQLI-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61LPD51236A-200TQLI-TR, IS61LPD51236A-200TQLI-TR Datenblatt (Total Pages: 29, Größe: 552,91 KB)
PDFIS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Cover
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IS61LPD51236A-200TQLI-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße18Mb (512K x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit3.1ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x20)

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Speichergröße

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Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

300MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Winbond Electronics

Serie

SpiFlash®

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

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