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IS61DDB42M18C-250M3

IS61DDB42M18C-250M3

Nur als Referenz

Teilenummer IS61DDB42M18C-250M3
PNEDA Teilenummer IS61DDB42M18C-250M3
Beschreibung IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61DDB42M18C-250M3 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61DDB42M18C-250M3
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61DDB42M18C-250M3, IS61DDB42M18C-250M3 Datenblatt (Total Pages: 30, Größe: 829,23 KB)
PDFIS61DDB42M18C-250M3L Datenblatt Cover
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IS61DDB42M18C-250M3 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße36Mb (2M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit8.4ns
Spannung - Versorgung1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-LFBGA (15x17)

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

2.8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

Winbond Electronics

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, QPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Toshiba Memory America, Inc.

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

256Gb (32G x 8)

Speicherschnittstelle

UFS

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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44-TSOP2

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

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Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

16MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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