IS61DDB21M18A-300M3L
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| Teilenummer | IS61DDB21M18A-300M3L |
| PNEDA Teilenummer | IS61DDB21M18A-300M3L |
| Beschreibung | IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.490 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 18 - Nov 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IS61DDB21M18A-300M3L Ressourcen
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IS61DDB21M18A-300M3L |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
IS61DDB21M18A-300M3L, IS61DDB21M18A-300M3L Datenblatt
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IS61DDB21M18A-300M3L Technische Daten
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, DDR II |
| Speichergröße | 18Mb (1M x 18) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 300MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.71V ~ 1.89V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 165-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 165-LFBGA (13x15) |
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