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IS61C64AL-10JLI

IS61C64AL-10JLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS61C64AL-10JLI
PNEDA Teilenummer IS61C64AL-10JLI
Beschreibung IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 1.732
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 11 - Jan 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS61C64AL-10JLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61C64AL-10JLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61C64AL-10JLI, IS61C64AL-10JLI Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 112,88 KB)
PDFIS61C64AL-10JLI Datenblatt Cover
IS61C64AL-10JLI Datenblatt Seite 2 IS61C64AL-10JLI Datenblatt Seite 3 IS61C64AL-10JLI Datenblatt Seite 4 IS61C64AL-10JLI Datenblatt Seite 5 IS61C64AL-10JLI Datenblatt Seite 6 IS61C64AL-10JLI Datenblatt Seite 7 IS61C64AL-10JLI Datenblatt Seite 8 IS61C64AL-10JLI Datenblatt Seite 9 IS61C64AL-10JLI Datenblatt Seite 10 IS61C64AL-10JLI Datenblatt Seite 11

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IS61C64AL-10JLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße64Kb (8K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ns
Zugriffszeit10ns
Spannung - Versorgung4.75V ~ 5.25V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Lieferantengerätepaket28-SOJ

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Speichergröße

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

256Mb (64M x 4)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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66-TSOP

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

MT41J512M8RA-15E IT:D

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

4Gb (512M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

667MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

13.5ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2.2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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