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IS61C632A-7TQ

IS61C632A-7TQ

Nur als Referenz

Teilenummer IS61C632A-7TQ
PNEDA Teilenummer IS61C632A-7TQ
Beschreibung IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 8.406
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS61C632A-7TQ Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61C632A-7TQ
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61C632A-7TQ, IS61C632A-7TQ Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 176,22 KB)
PDFIS61C632A-7TQ-TR Datenblatt Cover
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IS61C632A-7TQ Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße1Mb (32K x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz75MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit7ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x20)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

1ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Hersteller

Micron Technology Inc.

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e•MMC™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

16Gb (2G x 8)

Speicherschnittstelle

MMC

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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153-WFBGA

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

85ns

Zugriffszeit

85ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

32-DIP Module (0.61", 15.49mm)

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