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IS61C632A-6TQI

IS61C632A-6TQI

Nur als Referenz

Teilenummer IS61C632A-6TQI
PNEDA Teilenummer IS61C632A-6TQI
Beschreibung IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 6.786
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS61C632A-6TQI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61C632A-6TQI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61C632A-6TQI, IS61C632A-6TQI Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 176,22 KB)
PDFIS61C632A-7TQ-TR Datenblatt Cover
IS61C632A-7TQ-TR Datenblatt Seite 2 IS61C632A-7TQ-TR Datenblatt Seite 3 IS61C632A-7TQ-TR Datenblatt Seite 4 IS61C632A-7TQ-TR Datenblatt Seite 5 IS61C632A-7TQ-TR Datenblatt Seite 6 IS61C632A-7TQ-TR Datenblatt Seite 7 IS61C632A-7TQ-TR Datenblatt Seite 8 IS61C632A-7TQ-TR Datenblatt Seite 9 IS61C632A-7TQ-TR Datenblatt Seite 10 IS61C632A-7TQ-TR Datenblatt Seite 11

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IS61C632A-6TQI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße1Mb (32K x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz83MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit6ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x20)

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (4M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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IS45S16160G-7TLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

4Gb (128M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.3V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

2Mb (128K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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