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IS49RL36160-107EBL

IS49RL36160-107EBL

Nur als Referenz

Teilenummer IS49RL36160-107EBL
PNEDA Teilenummer IS49RL36160-107EBL
Beschreibung IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Stückpreis
1 ---------- $255,5590
50 ---------- $243,5797
100 ---------- $231,6004
200 ---------- $219,6210
400 ---------- $209,6383
500 ---------- $199,6555
Auf Lager 269
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS49RL36160-107EBL Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS49RL36160-107EBL
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS49RL36160-107EBL, IS49RL36160-107EBL Datenblatt (Total Pages: 115, Größe: 2.954,7 KB)
PDFIS49RL36160-093EBLI Datenblatt Cover
IS49RL36160-093EBLI Datenblatt Seite 2 IS49RL36160-093EBLI Datenblatt Seite 3 IS49RL36160-093EBLI Datenblatt Seite 4 IS49RL36160-093EBLI Datenblatt Seite 5 IS49RL36160-093EBLI Datenblatt Seite 6 IS49RL36160-093EBLI Datenblatt Seite 7 IS49RL36160-093EBLI Datenblatt Seite 8 IS49RL36160-093EBLI Datenblatt Seite 9 IS49RL36160-093EBLI Datenblatt Seite 10 IS49RL36160-093EBLI Datenblatt Seite 11

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IS49RL36160-107EBL Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieDRAM
Speichergröße576Mb (16M x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit8ns
Spannung - Versorgung1.28V ~ 1.42V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall168-LBGA
Lieferantengerätepaket168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

PSRAM

Technologie

PSRAM (Pseudo SRAM)

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-VFBGA

Lieferantengerätepaket

54-VFBGA (6x8)

IS25CQ032-JBLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

32Mb (4M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

4ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

25LC640-E/SN

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MT29F1G01ABAFDM78A3WC1

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

71T75602S133PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

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