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IS49NLS18160-25WBLI

IS49NLS18160-25WBLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS49NLS18160-25WBLI
PNEDA Teilenummer IS49NLS18160-25WBLI
Beschreibung IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 8.226
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IS49NLS18160-25WBLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS49NLS18160-25WBLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS49NLS18160-25WBLI, IS49NLS18160-25WBLI Datenblatt (Total Pages: 34, Größe: 1.038,12 KB)
PDFIS49NLS18160-33WBLI Datenblatt Cover
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IS49NLS18160-25WBLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieDRAM
Speichergröße288Mb (16M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall144-TBGA
Lieferantengerätepaket144-TWBGA (11x18.5)

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

128-LQFP

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

2ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

8Gb (1G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

66MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

80ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

4Gb (1G x 4)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1067MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.26V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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