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IS49NLC36800-25BI

IS49NLC36800-25BI

Nur als Referenz

Teilenummer IS49NLC36800-25BI
PNEDA Teilenummer IS49NLC36800-25BI
Beschreibung IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 7.380
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS49NLC36800-25BI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS49NLC36800-25BI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS49NLC36800-25BI, IS49NLC36800-25BI Datenblatt (Total Pages: 34, Größe: 1.038,12 KB)
PDFIS49NLS18160-33WBLI Datenblatt Cover
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IS49NLC36800-25BI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieDRAM
Speichergröße288Mb (8M x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall144-TFBGA
Lieferantengerätepaket144-FCBGA (11x18.5)

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

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Speichergröße

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Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

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Betriebstemperatur

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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-

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Betriebstemperatur

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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MT46V32M16TG-75E:C

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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