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IS49NLC18160-33BI

IS49NLC18160-33BI

Nur als Referenz

Teilenummer IS49NLC18160-33BI
PNEDA Teilenummer IS49NLC18160-33BI
Beschreibung IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 7.524
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IS49NLC18160-33BI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS49NLC18160-33BI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS49NLC18160-33BI, IS49NLC18160-33BI Datenblatt (Total Pages: 34, Größe: 1.038,12 KB)
PDFIS49NLS18160-33WBLI Datenblatt Cover
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IS49NLC18160-33BI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieDRAM
Speichergröße288Mb (16M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz300MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall144-TFBGA
Lieferantengerätepaket144-FCBGA (11x18.5)

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Hersteller

Fremont Micro Devices Ltd

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

800kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

700ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

512Kb (32K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

85ns

Zugriffszeit

85ns

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.25V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

28-EDIP

7024L35PF

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

64Kb (4K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

64Mb (2M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

183MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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