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IS46TR16640AL-125JBLA2-TR

IS46TR16640AL-125JBLA2-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS46TR16640AL-125JBLA2-TR
PNEDA Teilenummer IS46TR16640AL-125JBLA2-TR
Beschreibung IC DRAM 1G PARALLEL 800MHZ
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS46TR16640AL-125JBLA2-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS46TR16640AL-125JBLA2-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS46TR16640AL-125JBLA2-TR, IS46TR16640AL-125JBLA2-TR Datenblatt (Total Pages: 87, Größe: 3.864,15 KB)
PDFIS46TR16640AL-125JBLA2-TR Datenblatt Cover
IS46TR16640AL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 2 IS46TR16640AL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 3 IS46TR16640AL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 4 IS46TR16640AL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 5 IS46TR16640AL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 6 IS46TR16640AL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 7 IS46TR16640AL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 8 IS46TR16640AL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 9 IS46TR16640AL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 10 IS46TR16640AL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 11

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IS46TR16640AL-125JBLA2-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3
Speichergröße1Gb (64M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall96-TFBGA
Lieferantengerätepaket96-TWBGA (9x13)

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

CY62167DV30LL-45ZXI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP I

NM27LV512T250

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

250ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

32-TSOP

AS4C128M8D3A-12BCN

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

78-VFBGA

Lieferantengerätepaket

78-FBGA (8x10.5)

70V631S15PRFI

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

4.5Mb (256K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

128-LQFP

Lieferantengerätepaket

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