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IS46R16320E-5BLA1

IS46R16320E-5BLA1

Nur als Referenz

Teilenummer IS46R16320E-5BLA1
PNEDA Teilenummer IS46R16320E-5BLA1
Beschreibung IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 2.034
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS46R16320E-5BLA1 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS46R16320E-5BLA1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS46R16320E-5BLA1, IS46R16320E-5BLA1 Datenblatt (Total Pages: 34, Größe: 770,19 KB)
PDFIS43R16320E-6BI Datenblatt Cover
IS43R16320E-6BI Datenblatt Seite 2 IS43R16320E-6BI Datenblatt Seite 3 IS43R16320E-6BI Datenblatt Seite 4 IS43R16320E-6BI Datenblatt Seite 5 IS43R16320E-6BI Datenblatt Seite 6 IS43R16320E-6BI Datenblatt Seite 7 IS43R16320E-6BI Datenblatt Seite 8 IS43R16320E-6BI Datenblatt Seite 9 IS43R16320E-6BI Datenblatt Seite 10 IS43R16320E-6BI Datenblatt Seite 11

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IS46R16320E-5BLA1 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR
Speichergröße512Mb (32M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit700ps
Spannung - Versorgung2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall60-TFBGA
Lieferantengerätepaket60-TFBGA (8x13)

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Etron Technology, Inc.

Hersteller

Etron Technology, Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

78-VFBGA

Lieferantengerätepaket

78-FBGA (8x10.5)

M30LW128D110N6

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

128Mb (8M x 8 x 2, 4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

110ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

56-TSOP

BR24T01FVM-WTR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.6V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-MSOP

S29AL016J55TFA020

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

AL-J

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP

DS1201N

Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

4MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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-

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