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IS46LD32320A-3BPLA1

IS46LD32320A-3BPLA1

Nur als Referenz

Teilenummer IS46LD32320A-3BPLA1
PNEDA Teilenummer IS46LD32320A-3BPLA1
Beschreibung IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS46LD32320A-3BPLA1 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS46LD32320A-3BPLA1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS46LD32320A-3BPLA1, IS46LD32320A-3BPLA1 Datenblatt (Total Pages: 143, Größe: 6.603,82 KB)
PDFIS46LD32320A-3BPLA25-TR Datenblatt Cover
IS46LD32320A-3BPLA25-TR Datenblatt Seite 2 IS46LD32320A-3BPLA25-TR Datenblatt Seite 3 IS46LD32320A-3BPLA25-TR Datenblatt Seite 4 IS46LD32320A-3BPLA25-TR Datenblatt Seite 5 IS46LD32320A-3BPLA25-TR Datenblatt Seite 6 IS46LD32320A-3BPLA25-TR Datenblatt Seite 7 IS46LD32320A-3BPLA25-TR Datenblatt Seite 8 IS46LD32320A-3BPLA25-TR Datenblatt Seite 9 IS46LD32320A-3BPLA25-TR Datenblatt Seite 10 IS46LD32320A-3BPLA25-TR Datenblatt Seite 11

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IS46LD32320A-3BPLA1 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Speichergröße1Gb (32M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall168-VFBGA
Lieferantengerätepaket168-VFBGA (12x12)

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AK93C45AF

AKM Semiconductor Inc.

Hersteller

AKM Semiconductor Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (64 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

512Kb (32K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

800µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-WSON (6x5)

S25FL512SDSMFB013

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, FL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

512Mb (64M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

80MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

Hersteller

Swissbit

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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