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IS46DR16320D-25DBLA1-TR

IS46DR16320D-25DBLA1-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS46DR16320D-25DBLA1-TR
PNEDA Teilenummer IS46DR16320D-25DBLA1-TR
Beschreibung IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS46DR16320D-25DBLA1-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS46DR16320D-25DBLA1-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS46DR16320D-25DBLA1-TR, IS46DR16320D-25DBLA1-TR Datenblatt (Total Pages: 48, Größe: 1.091,38 KB)
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IS46DR16320D-25DBLA1-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR2
Speichergröße512Mb (32M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit400ps
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall84-TFBGA
Lieferantengerätepaket84-TWBGA (8x12.5)

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (512 x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

4Gb (512M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Adesto Technologies

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

CBRAM®

Technologie

CBRAM

Speichergröße

64kb (32B Page Size)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

750kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100µs, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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