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IS45S32800J-7TLA1

IS45S32800J-7TLA1

Nur als Referenz

Teilenummer IS45S32800J-7TLA1
PNEDA Teilenummer IS45S32800J-7TLA1
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS45S32800J-7TLA1 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS45S32800J-7TLA1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS45S32800J-7TLA1, IS45S32800J-7TLA1 Datenblatt (Total Pages: 60, Größe: 948,46 KB)
PDFIS45S32800J-6BLA1 Datenblatt Cover
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IS45S32800J-7TLA1 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße256Mb (32M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket86-TSOP II

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-

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-

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-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

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-

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Serie

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Speichertyp

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Technologie

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Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

33MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

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-

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-

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Montagetyp

-

Paket / Fall

-

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (8M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

120MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs, 2.4ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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