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IS45S32400F-7TLA2

IS45S32400F-7TLA2

Nur als Referenz

Teilenummer IS45S32400F-7TLA2
PNEDA Teilenummer IS45S32400F-7TLA2
Beschreibung IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS45S32400F-7TLA2 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS45S32400F-7TLA2
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS45S32400F-7TLA2, IS45S32400F-7TLA2 Datenblatt (Total Pages: 60, Größe: 852,83 KB)
PDFIS42S32400F-7BI Datenblatt Cover
IS42S32400F-7BI Datenblatt Seite 2 IS42S32400F-7BI Datenblatt Seite 3 IS42S32400F-7BI Datenblatt Seite 4 IS42S32400F-7BI Datenblatt Seite 5 IS42S32400F-7BI Datenblatt Seite 6 IS42S32400F-7BI Datenblatt Seite 7 IS42S32400F-7BI Datenblatt Seite 8 IS42S32400F-7BI Datenblatt Seite 9 IS42S32400F-7BI Datenblatt Seite 10 IS42S32400F-7BI Datenblatt Seite 11

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IS45S32400F-7TLA2 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße128Mb (4M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket86-TSOP II

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

128Mb (4M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

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Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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