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IS45S32200L-6BLA1

IS45S32200L-6BLA1

Nur als Referenz

Teilenummer IS45S32200L-6BLA1
PNEDA Teilenummer IS45S32200L-6BLA1
Beschreibung IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 7.596
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS45S32200L-6BLA1 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS45S32200L-6BLA1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS45S32200L-6BLA1, IS45S32200L-6BLA1 Datenblatt (Total Pages: 59, Größe: 1.309,99 KB)
PDFIS42S32200L-7BI Datenblatt Cover
IS42S32200L-7BI Datenblatt Seite 2 IS42S32200L-7BI Datenblatt Seite 3 IS42S32200L-7BI Datenblatt Seite 4 IS42S32200L-7BI Datenblatt Seite 5 IS42S32200L-7BI Datenblatt Seite 6 IS42S32200L-7BI Datenblatt Seite 7 IS42S32200L-7BI Datenblatt Seite 8 IS42S32200L-7BI Datenblatt Seite 9 IS42S32200L-7BI Datenblatt Seite 10 IS42S32200L-7BI Datenblatt Seite 11

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IS45S32200L-6BLA1 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße64Mb (2M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall90-TFBGA
Lieferantengerätepaket90-TFBGA (8x13)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

450ps

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TC)

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

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71T75802S150PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

150MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.8ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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