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IS45S16800F-6CTLA1

IS45S16800F-6CTLA1

Nur als Referenz

Teilenummer IS45S16800F-6CTLA1
PNEDA Teilenummer IS45S16800F-6CTLA1
Beschreibung IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS45S16800F-6CTLA1 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS45S16800F-6CTLA1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS45S16800F-6CTLA1, IS45S16800F-6CTLA1 Datenblatt (Total Pages: 62, Größe: 939,08 KB)
PDFIS42S16800F-7BI Datenblatt Cover
IS42S16800F-7BI Datenblatt Seite 2 IS42S16800F-7BI Datenblatt Seite 3 IS42S16800F-7BI Datenblatt Seite 4 IS42S16800F-7BI Datenblatt Seite 5 IS42S16800F-7BI Datenblatt Seite 6 IS42S16800F-7BI Datenblatt Seite 7 IS42S16800F-7BI Datenblatt Seite 8 IS42S16800F-7BI Datenblatt Seite 9 IS42S16800F-7BI Datenblatt Seite 10 IS42S16800F-7BI Datenblatt Seite 11

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IS45S16800F-6CTLA1 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße128Mb (8M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket54-TSOP II

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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BR93G76NUX-3BTTR

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (512 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Speichergröße

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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