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IS45S16320F-7BLA2

IS45S16320F-7BLA2

Nur als Referenz

Teilenummer IS45S16320F-7BLA2
PNEDA Teilenummer IS45S16320F-7BLA2
Beschreibung IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Stückpreis
1 ---------- $210,9917
50 ---------- $201,1015
100 ---------- $191,2113
200 ---------- $181,3210
400 ---------- $173,0792
500 ---------- $164,8373
Auf Lager 3.507
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS45S16320F-7BLA2 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS45S16320F-7BLA2
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS45S16320F-7BLA2, IS45S16320F-7BLA2 Datenblatt (Total Pages: 63, Größe: 1.265,13 KB)
PDFIS45S16320F-7BLA2 Datenblatt Cover
IS45S16320F-7BLA2 Datenblatt Seite 2 IS45S16320F-7BLA2 Datenblatt Seite 3 IS45S16320F-7BLA2 Datenblatt Seite 4 IS45S16320F-7BLA2 Datenblatt Seite 5 IS45S16320F-7BLA2 Datenblatt Seite 6 IS45S16320F-7BLA2 Datenblatt Seite 7 IS45S16320F-7BLA2 Datenblatt Seite 8 IS45S16320F-7BLA2 Datenblatt Seite 9 IS45S16320F-7BLA2 Datenblatt Seite 10 IS45S16320F-7BLA2 Datenblatt Seite 11

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IS45S16320F-7BLA2 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße512Mb (32M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TFBGA
Lieferantengerätepaket54-TFBGA (8x13)

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Serie

-

Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

165-FBGA (13x15)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

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Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

1ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN (2x3)

AT24C1024BN-SH-T

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

32-SOIC

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