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IS45S16320D-6CTLA1

IS45S16320D-6CTLA1

Nur als Referenz

Teilenummer IS45S16320D-6CTLA1
PNEDA Teilenummer IS45S16320D-6CTLA1
Beschreibung IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS45S16320D-6CTLA1 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS45S16320D-6CTLA1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS45S16320D-6CTLA1, IS45S16320D-6CTLA1 Datenblatt (Total Pages: 66, Größe: 1.365,07 KB)
PDFIS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Cover
IS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Seite 2 IS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Seite 3 IS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Seite 4 IS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Seite 5 IS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Seite 6 IS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Seite 7 IS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Seite 8 IS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Seite 9 IS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Seite 10 IS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Seite 11

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IS45S16320D-6CTLA1 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße512Mb (32M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket54-TSOP II

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Micron Technology Inc.

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

50ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

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S25FL128SAGNFI003

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Hersteller

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Serie

FL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.4ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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