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IS45S16160J-6BLA1-TR

IS45S16160J-6BLA1-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS45S16160J-6BLA1-TR
PNEDA Teilenummer IS45S16160J-6BLA1-TR
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS45S16160J-6BLA1-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS45S16160J-6BLA1-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS45S16160J-6BLA1-TR, IS45S16160J-6BLA1-TR Datenblatt (Total Pages: 63, Größe: 980,06 KB)
PDFIS42S16160J-6TI Datenblatt Cover
IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 2 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 3 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 4 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 5 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 6 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 7 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 8 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 9 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 10 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 11

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IS45S16160J-6BLA1-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße256Mb (16M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TFBGA
Lieferantengerätepaket54-TFBGA (8x8)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (256 x 8 x 2)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

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Etron Technology, Inc.

Hersteller

Etron Technology, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

512M (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

4.5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

MT41J256M8DA-093:K

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1066MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

78-TFBGA

Lieferantengerätepaket

78-FBGA (8x10.5)

AT27LV512A-90RU

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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