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IS45S16100C1-7TLA1

IS45S16100C1-7TLA1

Nur als Referenz

Teilenummer IS45S16100C1-7TLA1
PNEDA Teilenummer IS45S16100C1-7TLA1
Beschreibung IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS45S16100C1-7TLA1 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS45S16100C1-7TLA1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS45S16100C1-7TLA1, IS45S16100C1-7TLA1 Datenblatt (Total Pages: 81, Größe: 875,54 KB)
PDFIS45S16100C1-7BLA1-TR Datenblatt Cover
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IS45S16100C1-7TLA1 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße16Mb (1M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.5ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket50-TSOP II

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Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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*

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-

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-

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Speichergröße

-

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-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

90ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

56-TSOP

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Hersteller

Winbond Electronics

Serie

-

Speichertyp

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Technologie

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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