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IS43TR81280BL-125JBL-TR

IS43TR81280BL-125JBL-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS43TR81280BL-125JBL-TR
PNEDA Teilenummer IS43TR81280BL-125JBL-TR
Beschreibung IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS43TR81280BL-125JBL-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS43TR81280BL-125JBL-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS43TR81280BL-125JBL-TR, IS43TR81280BL-125JBL-TR Datenblatt (Total Pages: 87, Größe: 4.343,88 KB)
PDFIS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Cover
IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 2 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 3 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 4 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 5 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 6 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 7 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 8 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 9 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 10 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 11

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  • IS43TR81280BL-125JBL-TR Distributor

IS43TR81280BL-125JBL-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3L
Speichergröße1Gb (128M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur0°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall78-TFBGA
Lieferantengerätepaket78-TWBGA (8x10.5)

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

72Mb (4M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

267MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (13x15)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IDT71V3578YS133PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (256K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x20)

S25FL116K0XWEI009

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL1-K

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

16Mb (2M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

M29W320DT70N3F TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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