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IS43TR16640BL-107MBLI

IS43TR16640BL-107MBLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS43TR16640BL-107MBLI
PNEDA Teilenummer IS43TR16640BL-107MBLI
Beschreibung IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS43TR16640BL-107MBLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS43TR16640BL-107MBLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS43TR16640BL-107MBLI, IS43TR16640BL-107MBLI Datenblatt (Total Pages: 87, Größe: 4.343,88 KB)
PDFIS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Cover
IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 2 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 3 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 4 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 5 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 6 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 7 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 8 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 9 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 10 IS46TR16640BL-125JBLA2-TR Datenblatt Seite 11

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IS43TR16640BL-107MBLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3L
Speichergröße1Gb (64M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur-40°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall96-TFBGA
Lieferantengerätepaket96-TWBGA (9x13)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

CY62256VLL-70SNC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SOIC

70V9269S9PRFI

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

256Kb (16K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

9ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

128-LQFP

Lieferantengerätepaket

128-TQFP (14x20)

JS28F256P30B95A

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

40MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

95ns

Zugriffszeit

95ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

56-TSOP

CY7C1380KV33-200AXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x20)

MR4A08BMA35R

Everspin Technologies Inc.

Hersteller

Everspin Technologies Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

RAM

Technologie

MRAM (Magnetoresistive RAM)

Speichergröße

16Mb (2M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-LFBGA

Lieferantengerätepaket

48-FBGA (10x10)

Kürzlich verkauft

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