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IS43TR16256BL-107MBL

IS43TR16256BL-107MBL

Nur als Referenz

Teilenummer IS43TR16256BL-107MBL
PNEDA Teilenummer IS43TR16256BL-107MBL
Beschreibung 4G 1.35V DDR3 256MX16 1866MT 96
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43TR16256BL-107MBL Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS43TR16256BL-107MBL
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
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PDFIS43TR16256BL-107MBLI Datenblatt Cover
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IS43TR16256BL-107MBL Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3L
Speichergröße4Gb (256M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur0°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall96-TFBGA
Lieferantengerätepaket96-TWBGA (9x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-TBGA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

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-

Paket / Fall

-

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

10MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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8-MSOP

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

512Mb (128M x 4)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

66-TSOP

AT27BV020-90JC

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

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