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IS43R32400E-4BL

IS43R32400E-4BL

Nur als Referenz

Teilenummer IS43R32400E-4BL
PNEDA Teilenummer IS43R32400E-4BL
Beschreibung IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43R32400E-4BL Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS43R32400E-4BL
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS43R32400E-4BL, IS43R32400E-4BL Datenblatt (Total Pages: 31, Größe: 1.347,75 KB)
PDFIS43R32400E-4B Datenblatt Cover
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IS43R32400E-4BL Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR
Speichergröße128Mb (4M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite16ns
Zugriffszeit700ps
Spannung - Versorgung2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall144-LFBGA
Lieferantengerätepaket144-LFBGA (12x12)

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

13.75ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.4ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

NVSRAM

Technologie

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Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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34-LPM

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

512Mb (64M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

96ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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