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IS43R16320E-5TLI-TR

IS43R16320E-5TLI-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS43R16320E-5TLI-TR
PNEDA Teilenummer IS43R16320E-5TLI-TR
Beschreibung IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43R16320E-5TLI-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS43R16320E-5TLI-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS43R16320E-5TLI-TR, IS43R16320E-5TLI-TR Datenblatt (Total Pages: 34, Größe: 770,19 KB)
PDFIS43R16320E-6BI Datenblatt Cover
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IS43R16320E-5TLI-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR
Speichergröße512Mb (32M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit700ps
Spannung - Versorgung2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket66-TSOP II

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IDT71V3558SA200BQGI

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

4.5Mb (256K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.2ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TBGA

Lieferantengerätepaket

165-CABGA (13x15)

BR93L46FV-WE2

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (64 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SSOPB

W25Q32FVTBIG TR

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Hersteller

Winbond Electronics

Serie

SpiFlash®

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (4M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, QPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-TBGA

Lieferantengerätepaket

24-TFBGA (6x8)

M29W040B90K1

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

90ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

32-PLCC (11.35x13.89)

CY7S1061G30-10ZXIT

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP I

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