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IS43LR16800F-6BL

IS43LR16800F-6BL

Nur als Referenz

Teilenummer IS43LR16800F-6BL
PNEDA Teilenummer IS43LR16800F-6BL
Beschreibung IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 3.294
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IS43LR16800F-6BL Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS43LR16800F-6BL
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS43LR16800F-6BL, IS43LR16800F-6BL Datenblatt (Total Pages: 42, Größe: 1.461,04 KB)
PDFIS43LR16800F-6BL-TR Datenblatt Cover
IS43LR16800F-6BL-TR Datenblatt Seite 2 IS43LR16800F-6BL-TR Datenblatt Seite 3 IS43LR16800F-6BL-TR Datenblatt Seite 4 IS43LR16800F-6BL-TR Datenblatt Seite 5 IS43LR16800F-6BL-TR Datenblatt Seite 6 IS43LR16800F-6BL-TR Datenblatt Seite 7 IS43LR16800F-6BL-TR Datenblatt Seite 8 IS43LR16800F-6BL-TR Datenblatt Seite 9 IS43LR16800F-6BL-TR Datenblatt Seite 10 IS43LR16800F-6BL-TR Datenblatt Seite 11

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IS43LR16800F-6BL Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße128Mb (8M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit5.5ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall60-TFBGA
Lieferantengerätepaket60-TFBGA (8x10)

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (15x17)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Rohm Semiconductor

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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