IS43DR86400E-3DBLI
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| Teilenummer | IS43DR86400E-3DBLI |
| PNEDA Teilenummer | IS43DR86400E-3DBLI |
| Beschreibung | IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.974 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IS43DR86400E-3DBLI Ressourcen
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IS43DR86400E-3DBLI |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
IS43DR86400E-3DBLI, IS43DR86400E-3DBLI Datenblatt
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IS43DR86400E-3DBLI Technische Daten
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 333MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 450ns |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 60-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 60-TWBGA (8x10.5) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 3ms Zugriffszeit 250ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 28-SOIC |
