IS43DR81280B-25DBLI-TR
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| Teilenummer | IS43DR81280B-25DBLI-TR |
| PNEDA Teilenummer | IS43DR81280B-25DBLI-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.490 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IS43DR81280B-25DBLI-TR Ressourcen
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IS43DR81280B-25DBLI-TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
IS43DR81280B-25DBLI-TR, IS43DR81280B-25DBLI-TR Datenblatt
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IS43DR81280B-25DBLI-TR Technische Daten
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Speichergröße | 1Gb (128M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 400MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 400ps |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 60-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 60-TWBGA (8x10.5) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 128Mb (32M x 4) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 108MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 8ms, 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-VDFPN (MLP8) (8x6) |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 2Mb (256K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 50µs Zugriffszeit 120ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) Lieferantengerätepaket 32-VSOP |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie Automotive, AEC-Q100 Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 12ns Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-VFBGA Lieferantengerätepaket 54-VFBGA (8x8) |
