IS43DR16320E-3DBLI-TR
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| Teilenummer | IS43DR16320E-3DBLI-TR |
| PNEDA Teilenummer | IS43DR16320E-3DBLI-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.390 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IS43DR16320E-3DBLI-TR Ressourcen
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IS43DR16320E-3DBLI-TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
IS43DR16320E-3DBLI-TR, IS43DR16320E-3DBLI-TR Datenblatt
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IS43DR16320E-3DBLI-TR Technische Daten
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Speichergröße | 512Mb (32M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 333MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 450ns |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 84-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 84-TWBGA (8x12.5) |
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Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 28-DIP (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 28-PDIP |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 4.2ns Spannung - Versorgung 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 256-LBGA Lieferantengerätepaket 256-CABGA (17x17) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ns Zugriffszeit 10ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) Lieferantengerätepaket 28-SOJ |
