Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IS43DR16320D-3DBI-TR

IS43DR16320D-3DBI-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS43DR16320D-3DBI-TR
PNEDA Teilenummer IS43DR16320D-3DBI-TR
Beschreibung IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.994
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 5 - Mär 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS43DR16320D-3DBI-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS43DR16320D-3DBI-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS43DR16320D-3DBI-TR, IS43DR16320D-3DBI-TR Datenblatt (Total Pages: 48, Größe: 1.091,38 KB)
PDFIS46DR16320D-25DBLA2 Datenblatt Cover
IS46DR16320D-25DBLA2 Datenblatt Seite 2 IS46DR16320D-25DBLA2 Datenblatt Seite 3 IS46DR16320D-25DBLA2 Datenblatt Seite 4 IS46DR16320D-25DBLA2 Datenblatt Seite 5 IS46DR16320D-25DBLA2 Datenblatt Seite 6 IS46DR16320D-25DBLA2 Datenblatt Seite 7 IS46DR16320D-25DBLA2 Datenblatt Seite 8 IS46DR16320D-25DBLA2 Datenblatt Seite 9 IS46DR16320D-25DBLA2 Datenblatt Seite 10 IS46DR16320D-25DBLA2 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IS43DR16320D-3DBI-TR Datasheet
  • where to find IS43DR16320D-3DBI-TR
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-3DBI-TR
  • IS43DR16320D-3DBI-TR PDF Datasheet
  • IS43DR16320D-3DBI-TR Stock

  • IS43DR16320D-3DBI-TR Pinout
  • Datasheet IS43DR16320D-3DBI-TR
  • IS43DR16320D-3DBI-TR Supplier

  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Distributor
  • IS43DR16320D-3DBI-TR Price
  • IS43DR16320D-3DBI-TR Distributor

IS43DR16320D-3DBI-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR2
Speichergröße512Mb (32M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit450ps
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall84-TFBGA
Lieferantengerätepaket84-TWBGA (8x12.5)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IS61LPS102418A-200TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.1ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x20)

W9725G8KB25I TR

Winbond Electronics

Hersteller

Winbond Electronics

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-TFBGA

Lieferantengerätepaket

60-WBGA (8x12.5)

IS42S16400F-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TFBGA

Lieferantengerätepaket

54-TFBGA (8x8)

7027L55PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

512Kb (32K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

STK12C68-C35I

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-CDIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

28-CDIP

Kürzlich verkauft

TNY278PN

TNY278PN

Power Integrations

IC OFFLINE SWIT OVP OTP HV 8DIP

ADG201AKNZ

ADG201AKNZ

Analog Devices

IC SWITCH QUAD SPST 16DIP

IR2110STRPBF

IR2110STRPBF

Infineon Technologies

IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC

IRAMX16UP60B-2

IRAMX16UP60B-2

Infineon Technologies

IC PWR HYBRID 600V 16A SIP2

MAX253CSA+T

MAX253CSA+T

Maxim Integrated

IC DRVR TRANSFORMER 8-SOIC

MT40A256M16GE-083E IT:B

MT40A256M16GE-083E IT:B

Micron Technology Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

89HP0604SBZBNRGI

89HP0604SBZBNRGI

IDT, Integrated Device Technology

IC REDRIVER SAS/SATA 36VFQFPN

PC28F00BM29EWHA

PC28F00BM29EWHA

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 64FBGA

35F0121-0SR-10

35F0121-0SR-10

Laird-Signal Integrity Products

FERRITE BEAD 42 OHM 2SMD 1LN

HIH-5030-001

HIH-5030-001

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SENSOR HUMIDITY 5V ANALOG 3% SMD

SI7421DN-T1-E3

SI7421DN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8

ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223