Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IS43DR16320C-3DBI-TR

IS43DR16320C-3DBI-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS43DR16320C-3DBI-TR
PNEDA Teilenummer IS43DR16320C-3DBI-TR
Beschreibung IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.452
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS43DR16320C-3DBI-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS43DR16320C-3DBI-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS43DR16320C-3DBI-TR, IS43DR16320C-3DBI-TR Datenblatt (Total Pages: 48, Größe: 1.438,62 KB)
PDFIS43DR86400C-3DBI-TR Datenblatt Cover
IS43DR86400C-3DBI-TR Datenblatt Seite 2 IS43DR86400C-3DBI-TR Datenblatt Seite 3 IS43DR86400C-3DBI-TR Datenblatt Seite 4 IS43DR86400C-3DBI-TR Datenblatt Seite 5 IS43DR86400C-3DBI-TR Datenblatt Seite 6 IS43DR86400C-3DBI-TR Datenblatt Seite 7 IS43DR86400C-3DBI-TR Datenblatt Seite 8 IS43DR86400C-3DBI-TR Datenblatt Seite 9 IS43DR86400C-3DBI-TR Datenblatt Seite 10 IS43DR86400C-3DBI-TR Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IS43DR16320C-3DBI-TR Datasheet
  • where to find IS43DR16320C-3DBI-TR
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-3DBI-TR
  • IS43DR16320C-3DBI-TR PDF Datasheet
  • IS43DR16320C-3DBI-TR Stock

  • IS43DR16320C-3DBI-TR Pinout
  • Datasheet IS43DR16320C-3DBI-TR
  • IS43DR16320C-3DBI-TR Supplier

  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Distributor
  • IS43DR16320C-3DBI-TR Price
  • IS43DR16320C-3DBI-TR Distributor

IS43DR16320C-3DBI-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR2
Speichergröße512Mb (32M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit450ps
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall84-TFBGA
Lieferantengerätepaket84-TWBGA (8x12.5)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

BR24G02NUX-3TTR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.6V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-UFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

VSON008X2030

AT24C01B-TSU-T

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

Lieferantengerätepaket

SOT-23-5

CY7C1381KV33-133AXI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

6.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x20)

IS43DR86400C-3DBI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

512Mb (64M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

450ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-TFBGA

Lieferantengerätepaket

60-TWBGA (8x10.5)

MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH, RAM

Technologie

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Speichergröße

1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

130-VFBGA

Lieferantengerätepaket

130-VFBGA (8x9)

Kürzlich verkauft

ADM3252EABCZ

ADM3252EABCZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV 4CH RS232 44BGA

ATXMEGA32E5-AUR

ATXMEGA32E5-AUR

Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 32KB FLASH 32TQFP

ADG702BRTZ-REEL7

ADG702BRTZ-REEL7

Analog Devices

IC SWITCH SPST SOT23-6

APT2012EC

APT2012EC

Kingbright

LED RED CLEAR CHIP SMD

MT48LC4M16A2P-75 IT:G

MT48LC4M16A2P-75 IT:G

Micron Technology Inc.

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

744043101

744043101

Wurth Electronics

FIXED IND 100UH 510MA 600 MOHM

BYW80-200G

BYW80-200G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2

CDRH2D14NP-2R2NC

CDRH2D14NP-2R2NC

Sumida

FIXED IND 2.2UH 1.6A 94 MOHM SMD

SMBJ5.0A-13-F

SMBJ5.0A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 9.2V SMB

2843010402

2843010402

Fair-Rite Products

FERRITE CORE MULTI-APERTURE

NLV32T-068J-EF

NLV32T-068J-EF

TDK

FIXED IND 68NH 450MA 360 MOHM

MAX3087EESA+

MAX3087EESA+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 8SOIC