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IS42VM32800K-6BLI

IS42VM32800K-6BLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS42VM32800K-6BLI
PNEDA Teilenummer IS42VM32800K-6BLI
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS42VM32800K-6BLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS42VM32800K-6BLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS42VM32800K-6BLI, IS42VM32800K-6BLI Datenblatt (Total Pages: 35, Größe: 913,8 KB)
PDFIS42SM32800K-6BLI Datenblatt Cover
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IS42VM32800K-6BLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile
Speichergröße256Mb (8M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.5ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall90-TFBGA
Lieferantengerätepaket90-TFBGA (8x13)

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Volatile

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Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1600MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR3

Speichergröße

8Gb (256M x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.2V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

PSRAM

Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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