IS42VM32200M-75BLI-TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | IS42VM32200M-75BLI-TR |
| PNEDA Teilenummer | IS42VM32200M-75BLI-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.608 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 9 - Nov 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IS42VM32200M-75BLI-TR Ressourcen
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IS42VM32200M-75BLI-TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
IS42VM32200M-75BLI-TR, IS42VM32200M-75BLI-TR Datenblatt
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IS42VM32200M-75BLI-TR Technische Daten
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile |
| Speichergröße | 64Mb (2M x 32) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 133MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 6ns |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 90-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 90-TFBGA (8x13) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 52-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 52-PLCC (19.13x19.13) |
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