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IS42S83200D-6TLI

IS42S83200D-6TLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS42S83200D-6TLI
PNEDA Teilenummer IS42S83200D-6TLI
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 3.490
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS42S83200D-6TLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS42S83200D-6TLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS42S83200D-6TLI, IS42S83200D-6TLI Datenblatt (Total Pages: 64, Größe: 990,95 KB)
PDFIS45S16160D-7TLA2-TR Datenblatt Cover
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IS42S83200D-6TLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße256Mb (32M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket54-TSOP II

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Hersteller

Microchip Technology

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

R1LV0108ESA-5SI#S0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)

Lieferantengerätepaket

32-sTSOP

AS4C16M16MD1-6BCN

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-TFBGA

Lieferantengerätepaket

60-FPBGA (8x9)

CY7C1010DV33-10VXIT

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

36-SOJ

AT25DL161-SSHN-T

Adesto Technologies

Hersteller

Adesto Technologies

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

16Mb (256 Bytes x 8192 pages)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8µs, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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