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IS42S81600E-7TLI

IS42S81600E-7TLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS42S81600E-7TLI
PNEDA Teilenummer IS42S81600E-7TLI
Beschreibung IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 8.226
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS42S81600E-7TLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS42S81600E-7TLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS42S81600E-7TLI, IS42S81600E-7TLI Datenblatt (Total Pages: 61, Größe: 899,62 KB)
PDFIS42S16800E-7TL-TR Datenblatt Cover
IS42S16800E-7TL-TR Datenblatt Seite 2 IS42S16800E-7TL-TR Datenblatt Seite 3 IS42S16800E-7TL-TR Datenblatt Seite 4 IS42S16800E-7TL-TR Datenblatt Seite 5 IS42S16800E-7TL-TR Datenblatt Seite 6 IS42S16800E-7TL-TR Datenblatt Seite 7 IS42S16800E-7TL-TR Datenblatt Seite 8 IS42S16800E-7TL-TR Datenblatt Seite 9 IS42S16800E-7TL-TR Datenblatt Seite 10 IS42S16800E-7TL-TR Datenblatt Seite 11

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IS42S81600E-7TLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße128Mb (16M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket54-TSOP II

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

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Betriebstemperatur

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

14ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Speicherformat

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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