IS42S32800J-75ETLI-TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | IS42S32800J-75ETLI-TR |
| PNEDA Teilenummer | IS42S32800J-75ETLI-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.172 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 12 - Apr 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IS42S32800J-75ETLI-TR Ressourcen
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | IS42S32800J-75ETLI-TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
IS42S32800J-75ETLI-TR, IS42S32800J-75ETLI-TR Datenblatt
(Total Pages: 60, Größe: 948,46 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IS42S32800J-75ETLI-TR Datasheet
- where to find IS42S32800J-75ETLI-TR
- ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-75ETLI-TR
- IS42S32800J-75ETLI-TR PDF Datasheet
- IS42S32800J-75ETLI-TR Stock
- IS42S32800J-75ETLI-TR Pinout
- Datasheet IS42S32800J-75ETLI-TR
- IS42S32800J-75ETLI-TR Supplier
- ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Distributor
- IS42S32800J-75ETLI-TR Price
- IS42S32800J-75ETLI-TR Distributor
IS42S32800J-75ETLI-TR Technische Daten
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM |
| Speichergröße | 256Mb (8M x 32) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 133MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 6ns |
| Spannung - Versorgung | 3V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 86-TSOP II |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 45ns Zugriffszeit 45ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 28-DIP (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 28-DIP |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR4 Speichergröße 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 96-TFBGA Lieferantengerätepaket 96-FBGA (7.5x13.5) |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 4Kb (256 x 16) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 2MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UFBGA, CSPBGA Lieferantengerätepaket VCSP50L1 |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie StrataFlash™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 75ns Zugriffszeit 75ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 56-TSOP |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.1ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
