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IS42S32800D-7BI-TR

IS42S32800D-7BI-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS42S32800D-7BI-TR
PNEDA Teilenummer IS42S32800D-7BI-TR
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS42S32800D-7BI-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS42S32800D-7BI-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS42S32800D-7BI-TR, IS42S32800D-7BI-TR Datenblatt (Total Pages: 60, Größe: 830,76 KB)
PDFIS45S32800D-7TLA1-TR Datenblatt Cover
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IS42S32800D-7BI-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße256Mb (8M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall90-TFBGA
Lieferantengerätepaket90-TFBGA (8x13)

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Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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IS45S16400J-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TFBGA

Lieferantengerätepaket

54-TFBGA (8x8)

IDT71V3557SA80BGGI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

119-BGA

Lieferantengerätepaket

119-PBGA (14x22)

MT29C8G96MAZBBDKD-48 IT TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH, RAM

Technologie

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Speichergröße

8Gb (512M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDRAM)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

208MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

-

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

-

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