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IS42S32400E-6TL

IS42S32400E-6TL

Nur als Referenz

Teilenummer IS42S32400E-6TL
PNEDA Teilenummer IS42S32400E-6TL
Beschreibung IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS42S32400E-6TL Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS42S32400E-6TL
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS42S32400E-6TL, IS42S32400E-6TL Datenblatt (Total Pages: 60, Größe: 876,36 KB)
PDFIS42S32400E-7TLI-TR Datenblatt Cover
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IS42S32400E-6TL Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße128Mb (4M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket86-TSOP II

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

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Volatile

Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

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Montagetyp

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

2ns

Zugriffszeit

4.5ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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