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IS42S32400B-7B

IS42S32400B-7B

Nur als Referenz

Teilenummer IS42S32400B-7B
PNEDA Teilenummer IS42S32400B-7B
Beschreibung IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 6.318
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS42S32400B-7B Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS42S32400B-7B
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS42S32400B-7B, IS42S32400B-7B Datenblatt (Total Pages: 60, Größe: 477,16 KB)
PDFIS45S32400B-6TLA1-TR Datenblatt Cover
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IS42S32400B-7B Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße128Mb (4M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall90-TFBGA
Lieferantengerätepaket90-TFBGA (8x13)

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

750ps

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

128Mb (4M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

86-TSOP II

JS28F00AM29EWLA

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

1Gb (128M x 8, 64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

110ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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56-TSOP

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, FS-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, QPI

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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