IS42S32200L-6B
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| Teilenummer | IS42S32200L-6B |
| PNEDA Teilenummer | IS42S32200L-6B |
| Beschreibung | IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.884 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IS42S32200L-6B Ressourcen
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IS42S32200L-6B |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
IS42S32200L-6B, IS42S32200L-6B Datenblatt
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IS42S32200L-6B Technische Daten
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM |
| Speichergröße | 64Mb (2M x 32) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 166MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 5.4ns |
| Spannung - Versorgung | 3V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 90-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 90-TFBGA (8x13) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) Lieferantengerätepaket 32-SOJ |
Hersteller Everspin Technologies Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat RAM Technologie MRAM (Magnetoresistive RAM) Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 40MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) |
