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IS42S32200C1-7T

IS42S32200C1-7T

Nur als Referenz

Teilenummer IS42S32200C1-7T
PNEDA Teilenummer IS42S32200C1-7T
Beschreibung IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS42S32200C1-7T Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS42S32200C1-7T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS42S32200C1-7T, IS42S32200C1-7T Datenblatt (Total Pages: 59, Größe: 2.285,26 KB)
PDFIS42S32200C1-6TLI-TR Datenblatt Cover
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IS42S32200C1-7T Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße64Mb (2M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.5ns
Spannung - Versorgung3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket86-TSOP II

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-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Speichertyp

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Speichergröße

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

FLASH

Speichergröße

16Mb (2M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

1.5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

68-BPGA

Lieferantengerätepaket

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

120MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

30µs, 750µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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