IS42S32200C1-7BLI-TR
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| Teilenummer | IS42S32200C1-7BLI-TR |
| PNEDA Teilenummer | IS42S32200C1-7BLI-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 64M PARALLEL 90BGA |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.820 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 23 - Jun 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IS42S32200C1-7BLI-TR Ressourcen
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IS42S32200C1-7BLI-TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
IS42S32200C1-7BLI-TR, IS42S32200C1-7BLI-TR Datenblatt
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IS42S32200C1-7BLI-TR Technische Daten
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM |
| Speichergröße | 64Mb (2M x 32) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 143MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 5.5ns |
| Spannung - Versorgung | 3.15V ~ 3.45V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 90-LFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 90-BGA (13x8) |
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Hersteller Microchip Technology Serie Automotive, AEC-Q100 Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 8Kb (1K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 5MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
