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IS42S16400D-6BLI-TR

IS42S16400D-6BLI-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS42S16400D-6BLI-TR
PNEDA Teilenummer IS42S16400D-6BLI-TR
Beschreibung IC DRAM 64M PARALLEL 60MINIBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS42S16400D-6BLI-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS42S16400D-6BLI-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
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PDFIS42S16400D-6BLI-TR Datenblatt Cover
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IS42S16400D-6BLI-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße64Mb (4M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall60-TFBGA
Lieferantengerätepaket60-MiniBGA (6.4x10.1)

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Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Betriebstemperatur

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Speichertyp

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Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

40MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Hersteller

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

400ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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